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提要： 日本神戶制鋼所（Kobe Steel）已研發(fā)出具有“易于量產(chǎn)”特性的薄膜晶體管（TFT）用氧化物半導(dǎo)體材料，其左右耗電力性能的電子遷移率達(dá)10平方公尺/V.S，達(dá)現(xiàn)行主流的非晶硅TFT的10倍以上，足以媲美夏普已率先進(jìn)行量產(chǎn)的氧化物半導(dǎo)體“IGZO”。
中小尺寸面板是夏普（Sharp）營(yíng)運(yùn)重整的關(guān)鍵事業(yè)，而采用氧化物半導(dǎo)體IGZO技術(shù)的面板更是夏普寄予厚望的產(chǎn)品，但對(duì)全球第一家成功量產(chǎn)IGZO面板的夏普來(lái)說(shuō)，其在IGZO面板的優(yōu)勢(shì)恐將不再？
日本媒體日刊工業(yè)新聞26日?qǐng)?bào)導(dǎo)，日本神戶制鋼所（Kobe Steel）已研發(fā)出具有“易于量產(chǎn)”特性的薄膜晶體管（TFT）用氧化物半導(dǎo)體材料，其左右耗電力性能的電子遷移率（electron mobility）達(dá)10平方公尺/V.S（伏特.秒），達(dá)現(xiàn)行主流的非晶硅TFT的10倍以上，足以媲美夏普已率先進(jìn)行量產(chǎn)的氧化物半導(dǎo)體“IGZO”。
報(bào)導(dǎo)指出，藉由和夏普IGZO的相互競(jìng)爭(zhēng)，可望加快次世代面板的研發(fā)腳步。據(jù)報(bào)導(dǎo)，夏普領(lǐng)先全球進(jìn)行量產(chǎn)的IGZO是由“銦、鎵、鋅、氧”構(gòu)成，惟神戶制鋼所研發(fā)的新材料的組成則不明。
日本媒體產(chǎn)經(jīng)新聞曾于2012年12月8日?qǐng)?bào)導(dǎo)指出，據(jù)業(yè)界關(guān)系人士指出，夏普的IGZO技術(shù)恐將于1-2年內(nèi)“過(guò)時(shí)”，主因IGZO基礎(chǔ)專利并非由夏普所擁有，而是由科學(xué)技術(shù)振興機(jī)構(gòu)（JST）所擁有，而JST傾向于廣泛向日本國(guó)內(nèi)外企業(yè)進(jìn)行授權(quán)，其中JST已于2011年夏天和三星電子簽訂了IGZO的授權(quán)契約。
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